本公司營ADI亞德諾、ST意法半導(dǎo)體、TI德州儀器、IR國際整流器、Altera阿爾特拉、Xilinx賽靈思等品牌的IC芯片、二三極管、繼電器、模塊等電子元器件。 制造商：Infineon 產(chǎn)品種類：MOSFET RoHS：詳細(xì)信息 技術(shù)：Si 安裝風(fēng)格：通孔 封裝/箱體：TO-247-3 晶體管極性：N溝道 通道數(shù)量：1個頻道 Vds-漏源極擊穿電壓：200 V Id-連續(xù)直流電流：50 A Rds漏源導(dǎo)通電阻：40毫歐 Vgs-克羅地亞-源極電壓：20 V Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V Qg-萘甲酸：156 nC 最小工作溫度：-55 C 最大工作溫度：+ 175 C Pd-功率耗散：300 W 通道模式：增強 封裝：Tube 配置：單 高度：20.7毫米 長度：15.87毫米 晶體管類型：1 N溝道 寬度：5.31毫米 商標(biāo)：Infineon / IR 正向跨導(dǎo)-對抗：27 S 下降時間：48 ns 產(chǎn)品類型：MOSFET 上升時間：60 ns 工廠包裝數(shù)量：400 子類別：MOSFET 典型關(guān)閉延遲時間：55 ns 典型中斷時間：17 ns 零件號別名：IRFP260MPBF SP001572874 單位重量：38 g 特征 •先進(jìn)的工藝技術(shù) •動態(tài)dv / dt評級 •175°C工作溫度 •快速切換 •完全雪崩等級 •輕松并行 •簡單的驅(qū)動器要求 •無鉛 描述 國際整流器公司的第五代HEXFET采用先進(jìn)的處理技術(shù)， 以實現(xiàn)極低的每硅面積導(dǎo)通電阻。 這項優(yōu)勢與HEXFET 功率MOSFET眾所周知的快速開關(guān)速度和堅固耐用的 器件設(shè)計相結(jié)合，為設(shè)計人員提供了一種極其有效 和可靠的器件，可廣泛用于各種應(yīng)用中。 TO-247封裝是商業(yè)工業(yè)應(yīng)用的首選，在商業(yè)應(yīng)用中， 較高的功率水平導(dǎo)致無法使用TO-220器件。 TO-247與TO-218相似，但由于其隔離的安裝孔 而優(yōu)于早期的TO-218封裝。 最大絕對額定值 Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 50 A ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 35 IDM Pulsed Drain Current CD 200 PD @TC = 25°C Power Dissipation 300 W Linear Derating Factor 2.0 W/°C VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V EAS Single Pulse Avalanche EnergyCT 560 mJ IAR Avalanche CurrentCD 50 A EAR Repetitive Avalanche EnergyCD 30 mJ dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt Gl 10 V/ns TJ TSTG Operating Junction and Storage Temperature Range -55 to +175 °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m)