深圳友尚存儲科技有限公司
店齡6年 · 企業(yè)認證 · 廣東省深圳市
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主營產品: DRAM動態(tài)隨機存儲, SRAM靜態(tài)隨機存儲, NAND閃存, NOR閃存, eMCP嵌入式存儲, eMMC嵌入式存儲, FRAM鐵電存儲, FLASH閃存, MRAM磁性隨機存儲
H5TC2G83FFR-PBI-SKhynix原裝DDR3-現(xiàn)貨供應
價格
訂貨量(個)
¥11.20
≥10
店鋪主推品 熱銷潛力款
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深圳友尚存儲科技有限公司
店齡6年 企業(yè)認證
聯(lián)系人
曹經理 銷售代表
聯(lián)系電話
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經營模式
經營批發(fā)
所在地區(qū)
廣東省深圳市
詳細說明(以下型號信息僅供參考,詳細請聯(lián)系我司銷售代表)
H5TC2G83FFR-PBI SK hynix(海力士)DDR3存儲芯片 原廠原裝
生產商:SK hynix(海力士)
產品類別:集成電路-存儲器
系列:-
存儲格式:DRAM
存儲技術:SDRAM-DDR3
存儲容量:2Gb
存儲接口:并聯(lián)
SPEED(速度):-
時鐘頻率:533MHz
寫入時間:-
訪問時間:-
電壓-電源:1.425V~1.575V
工作溫度:0°C ~ 95°C
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:FBGA-78
原廠包裝:托盤
零件狀態(tài):批量生產
產品用途:SK hynix(海力士)的DDR3存儲芯片主要應用于服務器,智能電視,視頻監(jiān)控,汽車電子,物聯(lián)網設備,網絡機頂盒,通信設備,平板電腦等消費類以及工業(yè)類電子設備,是全球第二大DRAM產品供應商。我司供應的產品包含SK hynix(海力士)的DRAM,NAND閃存,嵌入式存儲eMMC,eMCP等全系列存儲產品。
DDR3突發(fā)長度(Burst Length,BL)
由于DDR3的預取為8bit,所以突發(fā)傳輸周期(Burst Length,BL)也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構系統(tǒng),BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop(突發(fā)突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據突發(fā)傳輸,屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是,任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制(如4bit順序突發(fā))。
價格說明
我司在愛采購商鋪展示的價格為指導價格或該商品曾經展示的銷售價格,非原價,僅供參考。具體售價以公司銷售代表確認的價格為準。
購買說明
客戶訂購產品之前請聯(lián)系我司銷售代表確認產品的庫存數(shù)量,庫存位置,訂貨周期等相關信息。確認信息之后由我司銷售代表通過公司系統(tǒng)生成訂單,交由客戶最后確認簽字后生成正式訂單。