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H5TC2G83FFR-PBI SK hynix（海力士）DDR3存儲芯片 原廠原裝

生產商：SK hynix（海力士）

產品類別：集成電路-存儲器

系列：-

存儲格式：DRAM

存儲技術：SDRAM-DDR3

存儲容量：2Gb

存儲接口：并聯(lián)

SPEED(速度)：-

時鐘頻率：533MHz

寫入時間：-

訪問時間：-

電壓-電源：1.425V~1.575V

工作溫度：0°C ~ 95°C

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：FBGA-78

原廠包裝：托盤

零件狀態(tài)：批量生產

產品用途：SK hynix（海力士）的DDR3存儲芯片主要應用于服務器，智能電視，視頻監(jiān)控，汽車電子，物聯(lián)網設備，網絡機頂盒，通信設備，平板電腦等消費類以及工業(yè)類電子設備，是全球第二大DRAM產品供應商。我司供應的產品包含SK hynix（海力士）的DRAM,NAND閃存,嵌入式存儲eMMC，eMCP等全系列存儲產品。

DDR3突發(fā)長度（Burst Length，BL）

由于DDR3的預取為8bit，所以突發(fā)傳輸周期（Burst Length，BL）也固定為8，而對于DDR2和早期的DDR架構系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要指出的是，任何突發(fā)中斷操作都將在DDR3內存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更靈活的突發(fā)傳輸控制（如4bit順序突發(fā)）。

價格說明

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購買說明

客戶訂購產品之前請聯(lián)系我司銷售代表確認產品的庫存數(shù)量，庫存位置，訂貨周期等相關信息。確認信息之后由我司銷售代表通過公司系統(tǒng)生成訂單，交由客戶最后確認簽字后生成正式訂單。