高壓鉭電容TCSP1D106M8R介紹：

制造商: ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類: 鉭質(zhì)電容器-SMD聚合物

電容: 10 uF

電壓額定值 DC: 20 VDC

容差: 20 %

外殼代碼 - in: 0805

外殼代碼 - mm: 2012

高度: 1.2 mm

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 125 C

高壓鉭電容TCSP1D106M8R特性:

1）新的底部電極配置導(dǎo)致更大的緊湊性，更小的外形和更高的電容。

2）緊湊，薄型，超高電容有助于實(shí)現(xiàn)更小巧，更薄的功能集。

3）非常適合在空間有限的電源線上消除噪聲。

4）環(huán)保的無(wú)鹵產(chǎn)品。

高壓鉭電容TCSP1D106M8R打標(biāo)規(guī)格：

下面列出的指示應(yīng)在電容器表面上給出。

（1）極性：極性應(yīng)以□表示。 （在陽(yáng)極側(cè)）

（2）額定直流電壓：電壓代碼如下表所示。

（3）電容：電容代碼如下表所示。

高壓鉭電容TCSP1D106M8R包裝規(guī)格：

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