金屬蝕刻標(biāo)牌

通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻（photochemical etching），指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。(三)制作工藝條件及具體操作1．除油脫脂不銹鋼板表面由于加工、運(yùn)輸或儲(chǔ)存的原因，遺留有不同程度的油污，必須要徹底清除，否則會(huì)直接影響保護(hù)涂層與板材表面的結(jié)合力。

金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的新模式

金屬標(biāo)牌蝕刻是一種全新的蝕刻工藝，標(biāo)牌顧名思義大家都知道是什么，金屬標(biāo)牌所選用的材料一般為鋁、銅、不銹鋼板。而鋁所選用的鋁版一般為拉絲鋁板，擁有精致的線條紋路，使印刷出來的鋁牌顯得十分的精巧、美觀。搖床是用一個(gè)下面有弧度的塑料槽，里面盛有蝕刻液，將金屬板放入其中，手工晃動(dòng)溶液槽的一邊，使腐蝕液在金屬板上來回流動(dòng)。而輕，柔，美就是鋁牌的特點(diǎn)。這種鋁表面還有一層保護(hù)膜保護(hù)好鋁牌不被刮花。蝕刻就是在它的上面進(jìn)行加工，一起來看看金屬標(biāo)牌蝕刻突破瓶頸的模式吧！

突破性的蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)原子級(jí)的蝕刻精準(zhǔn)性，從而推動(dòng)摩爾定律發(fā)展；隨著芯片結(jié)構(gòu)日益精細(xì)，選擇性工藝可在不損傷芯片的前提下清除不需要的材料；該系統(tǒng)已獲得芯片制造商青睞，用于生產(chǎn)先進(jìn)FinFET和存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)先進(jìn)芯片的一個(gè)重要壁壘是在一個(gè)多層結(jié)構(gòu)芯片中有選擇性地清除某一特定材料，而不破壞其他材料是我們?cè)谖g刻領(lǐng)域中的又一大創(chuàng)新，豐富了我們的差異化產(chǎn)品線，通過實(shí)現(xiàn)選擇性清除工藝，推動(dòng)了摩爾定律發(fā)展，創(chuàng)造了新的市場(chǎng)機(jī)遇。烘箱的溫度設(shè)置在88度，讓它自動(dòng)控制，5分鐘后拿出來，充分?jǐn)嚢?，沒有氣泡，像這樣了才能使用。

隨著先進(jìn)微型芯片的結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜，其深而窄的溝槽為芯片制造帶來了全新的挑戰(zhàn)，例如濕性化學(xué)成分無(wú)法穿透微小結(jié)構(gòu)，或是無(wú)法在不損傷芯片的前提下清除不需要的物質(zhì)。Selectra系統(tǒng)的革命性工藝可進(jìn)入極狹小的空間，從而實(shí)現(xiàn)前所未有的選擇性材料清除和原子級(jí)的蝕刻精準(zhǔn)性，適用于各類電介質(zhì)、金屬和半導(dǎo)體薄膜。本文針對(duì)國(guó)產(chǎn)不銹鋼板材，研究了化學(xué)蝕刻、化學(xué)拋光和電鍍鉻工藝參數(shù)不銹鋼蝕刻標(biāo)牌不銹鋼化學(xué)蝕刻配方和工藝參數(shù)為:fecl3660～850g/l、hcl(36%)8～20ml/l，添加劑10～20g/l，溫度45～50℃。其廣泛的工藝范圍以及控制無(wú)殘留物和無(wú)損傷材料清除的能力，顯著擴(kuò)大了蝕刻技術(shù)的應(yīng)用范圍，可用于圖案化、邏輯、代工、3DNAND及DRAM等關(guān)鍵蝕刻應(yīng)用。憑借Selectra系統(tǒng)的豐富功能，芯片制造商能夠生產(chǎn)出先進(jìn)的3D設(shè)備，并探索新的芯片結(jié)構(gòu)、材料和集成技術(shù)。

光刻和蝕刻技術(shù)，用光膠、掩膜、和紫外光進(jìn)行微制造，由薄膜沉積，光刻和蝕刻 三個(gè)工序組成。 ? 光刻前首先要在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數(shù)埃到幾十微米，稱為薄膜 沉積。我現(xiàn)在用的這個(gè)噴的挺厚的，但是曝光顯影以后還是很多漏板的地方。然后在薄膜表面用甩膠機(jī)均勻地覆蓋上一層光膠，將掩膜上微流控芯片設(shè)計(jì) 圖案通過曝光成像的原理轉(zhuǎn)移到光膠層的工藝過程稱為光刻。 ? 光刻的質(zhì)量則取決于光抗蝕劑（有正負(fù)之分）和光刻掩膜版的質(zhì)量。掩膜的基本功 能是基片受到光束照射（如紫外光）時(shí)，在圖形區(qū)和非圖形區(qū)產(chǎn)生不同的光吸收和 透過能力。