一、逆變器IG模塊檢測
將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔，測試IG模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性，來判斷IG模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除，使用二極管測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數(shù)值為zui大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為zui大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說明IG模塊性能變差，應(yīng)予更換。IG模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現(xiàn)。

infineon英飛凌IG模塊BSM100GB170DLC，可控硅晶閘管IG

IG是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫，IG是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管。
它融合了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

在電力電子設(shè)備中，選擇IG模塊時，通常是先計算通過IG模塊的電流值，然后根據(jù)電力電子設(shè)備的特點，考慮到過載、電網(wǎng)波動、開關(guān)尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應(yīng)的IG模塊。但嚴格的選擇，應(yīng)根據(jù)不同的應(yīng)用情況，計算耗散功率，通過熱阻核算具結(jié)溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過zui高結(jié)溫核標(biāo)可選擇較小的IG模塊通過更大的電流，更加有效地利用IG模塊。

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