1. 一般保存IG模塊的場所，應(yīng)保持常溫常濕狀態(tài)，不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5～35℃ ，常濕的規(guī)定在45～75%左右。在冬天特別干燥的地區(qū)，需用加濕機加濕;
2. 盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場合;
3. 在溫度發(fā)生急劇變化的場所IG模塊表面可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因此IG模塊應(yīng)放在溫度變化較小的地方;
4. 保管時，須注意不要在IG模塊上堆放重物;
5. 裝IG模塊的容器，應(yīng)選用不帶靜電的容器。
6. 檢測IG模塊的的辦法。

infineon英飛凌IG模塊BSM20GP60，可控硅晶閘管IG

IG是功率半導體器件第三次技術(shù)的代表性產(chǎn)品，具有高頻率、高電壓、大電流，易于開關(guān)等優(yōu)良性能，被業(yè)內(nèi)稱為功率變流裝置的“CPU”，廣泛應(yīng)用于軌道交通、航tian、船舶驅(qū)動、智能電網(wǎng)、新能源、交流變頻、風力發(fā)電、電機傳動、汽車等強電控制等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。上海菁園科技，供應(yīng)的IG模塊包括德國英飛凌、瑞士ABB、美國IR、飛兆以及日本三菱、東芝、富士等公司的各種型號。

但是目前的風電變流器都是690V的，IG的耐壓也就足夠了。 IG和IGCT，誰是電力電子器件的發(fā)展方向？
目前學術(shù)界正在爭論，雖然IGCT出現(xiàn)晚，但至少在目前，還看不出它相對IG有什么優(yōu)勢。但也有可能隨著技術(shù)的發(fā)展，兩者并駕齊驅(qū)，或者都被某種新的器件代替。
與IGCT所對應(yīng)的是IEGT, IEGT也稱為壓裝式IG （PPI). IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達4KV以上的IG系列電力電子器件，通過采取增強注入的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。

英飛凌可控硅，infineon英飛凌IG模塊BSM20GP60

常見問題：

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