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電光調(diào)制器的原理

電光調(diào)制器的基礎(chǔ)是電光效應(yīng)。根據(jù)電光晶體的折射率變化量和外加電場強度的關(guān)系，電光效應(yīng)可分為線性電光效應(yīng)(泡克耳斯效應(yīng))和二次電光效應(yīng)(克爾效應(yīng))。因為線性電光效應(yīng)比二次電光效應(yīng)的作用效果明顯，因此實際中多用線性電光調(diào)制器對光波進行調(diào)制。線性電光調(diào)制器可分為縱向的和橫向的。在縱向的調(diào)制器中，電場平行于光的傳播方向，而橫向調(diào)制器的電場則垂直于光傳播的方向。

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電光調(diào)制器系列

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850nm電光強度調(diào)制器KG-AM系列850nm鈮酸鋰電光強度調(diào)制器采用先進的質(zhì)子交換工藝，具有低插入損耗、高調(diào)制帶寬、低半波電壓等特點，主要用于空間光通信系統(tǒng)、銫原子時間基準(zhǔn)、脈沖發(fā)生器、量子光學(xué)等領(lǐng)域。

1064nm雙M-Z串聯(lián)強度調(diào)制器     

LiNbO3強度調(diào)制器具有良好的電光效應(yīng)，廣泛應(yīng)用于高速光通信系統(tǒng)、激光傳感和ROF系統(tǒng)中。基于MZ推拉結(jié)構(gòu)和X切設(shè)計的KG-AM系列具有穩(wěn)定的理化性能，可應(yīng)用于實驗室實驗和工業(yè)系統(tǒng)。

高消光比電光強度調(diào)制器

KG-AM-HER系列高消光比電光強度調(diào)制器基于M-Z推挽結(jié)構(gòu)，具有較低的半波電壓和穩(wěn)定的物理化學(xué)特性，采用特定工藝保證了器件具有高的DC消光比，且器件具有較高的響應(yīng)速率，因而被廣泛的應(yīng)用于光脈沖發(fā)生器、激光雷達、光纖傳感等領(lǐng)域。

電光調(diào)制器(EOM)

電光調(diào)制器(EOM)是激光外調(diào)制中為有效的 器件， 廣泛應(yīng)用于高速光纖通信和分布式光纖傳感系統(tǒng)中。目前使用較多的電光調(diào)制器是鈮酸鋰電光 調(diào)制器，由于其對輸入光的偏振態(tài)比較敏感，要使調(diào)制器的調(diào)制效果達到較佳，即輸出光功率大，須使輸入光的偏振方向 始終與EOM 內(nèi)部可傳播模式偏 振方向保持一致。

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